GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Resultados: 32
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (EUR) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Tensão de limite porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Frequência operacional máxima
Frequência operacional mínima
Tecnologia
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Ficha técnica
937Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Ficha técnica
796Em estoque
1.800No pedido
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
Ficha técnica
2.261Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Ficha técnica
767Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Ficha técnica
87Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
Ficha técnica
129Em estoque
175No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Ficha técnica
140Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 4.5 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Ficha técnica
Comentários de produto
570Em estoque
Mín.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Ficha técnica
358Em estoque
250Esperado 08/28/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C 1.4 GHz 960 MHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Ficha técnica
14Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C 5.9 GHz 5.2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
Ficha técnica
800No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Ficha técnica
21Esperado 09/25/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
Ficha técnica
750Esperado 09/15/2026
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C 18 GHz 0 Hz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
Ficha técnica
142Esperado 10/16/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
Ficha técnica
Tempo de conclusão 26 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
Ficha técnica
Comentários de produto
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 100
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
Ficha técnica
Comentários de produto
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
Ficha técnica
Tempo de conclusão 26 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Ficha técnica
Comentários de produto
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 200
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 250
Mult.: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C 2.7 GHz 0 Hz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Ficha técnica
Comentários de produto
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 50
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Ficha técnica
Comentários de produto

SMD/SMT Die N-Channel 50 V 4 GHz 0 Hz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Ficha técnica
Comentários de produto

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Ficha técnica
Comentários de produto

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C 18 GHz 10 MHz GaN