TGS2355

Qorvo
772-TGS2355
TGS2355

Fabricante.:

Descrição:
CIs de chave de RF .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Ficha técnica:
Modelo ECAD:
Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.
Mais informações
Saiba mais sobre Qorvo TGS2355

Disponibilidade

Estoque:
Não estocado
Tempo de entrega da fábrica:
12 semanas Tempo estimado de produção de fábrica.
Mínimo: 50   Vários: 50
Preço unitário:
-,-- €
Ext. Preço:
-,-- €
Est. Tarifa:

Preços (EUR)

Qtde Preço unitário
Ext. Preço
138,02 € 6.901,00 €

Opção de Embalagem

Fabricante Nº de ref.::
TGS2355-SM
Embalagem:
Tray
Disponibilidade:
Em estoque
Preço:
240,73 €
Mín:
1

Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Qorvo
Categoria de produto: CIs de chave de RF
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.3 dB
40 dB
- 55 C
+ 150 C
SMD/SMT
Die
Si
TGS2355
Gel Pack
Marca: Qorvo
Voltagem reguladora alta: - 48 V
Número de interruptores: Single
Corrente de Alimentação Operativa: 1 mA
Pd - Dissipação de potência: 36.8 W
Tipo de Produto: RF Switch ICs
Quantidade do pacote de fábrica: 50
Subcategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Aliases de núm de peça: 1097157
Peso unitário: 1 g
Produtos encontrados:
Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção
Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.
Atributos selecionados: 0 

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Ficha técnica

PCN

Esta funcionalidade requer o JavaScript para ser habilitada.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGS2355 High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). Operating from 0.5GHz to 6.0GHz, the TGS2355 provides up to 100W input power handling with <1dB insertion over most of the operating band and greater than 40dB isolation.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

Ocorreu um erro inesperado.


Tem uma dúvida? Visite, por favor, a Central de Ajuda.
Para perguntas sobre um pedido específico, por favor, acesse sua conta.

Se você tiver outros problemas, por favor, entre em contato pelo telefone 800-346-6873 ou envie um e-mail para help@mouser.com.