SiC MOSFET's – Mouser Europa

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultaten: 10

Toegepaste filters:

Montagetype

Verpakking / doos

Id - Continue afvoerstroom

Rds On - Druppelbronweerstand

Vgs - Poort-bronspanning

Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron

Qg - Ingangsbelasting

Maximale bedrijfstemperatuur

Pd - Vermogensverlies

Kwalificatie

Alle resetten

In resultaten zoeken

In voorraad

Gewoonlijk op voorraad

Actief

Nieuwe producten

RoHS-conformiteit

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Onderdeelnummer

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16,06 €
448In voorraad

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT018W65G3-4AG

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Gegevensblad

448In voorraad

16,06 €

12,23 €

10,19 €

9,08 €

8,49 €

Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 11,70 €
624In voorraad

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT027H65G3AG

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Meer informatie

Gegevensblad

624In voorraad

Gesneden tape

11,70 €

8,17 €

7,45 €

6,77 €

Spoel

6,19 €

Min.: 1
Veelv.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 9,92 €
487In voorraad

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT040W65G3-4

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Meer informatie

Gegevensblad

487In voorraad

9,92 €

5,96 €

5,05 €

Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11,54 €
481In voorraad

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT040W65G3-4AG

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Meer informatie

Gegevensblad

481In voorraad

11,54 €

8,36 €

7,16 €

6,17 €

Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7,87 €
1.414In voorraad

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT055TO65G3

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Meer informatie

Gegevensblad

1.414In voorraad

Gesneden tape

7,87 €

5,38 €

4,44 €

4,03 €

3,69 €

Spoel

3,69 €

Min.: 1
Veelv.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 14,25 €
22In voorraad
1.000Verwacht 01/29/2027

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT018H65G3AG

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Meer informatie

Gegevensblad

22In voorraad

1.000Verwacht 01/29/2027

Gesneden tape

14,25 €

10,05 €

8,57 €

Spoel

8,00 €

MouseReel beschikbaar

Min.: 1
Veelv.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10,41 €
733In voorraad

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT040H65G3AG

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Meer informatie

Gegevensblad

733In voorraad

Gesneden tape

10,41 €

7,22 €

5,70 €

Spoel

5,39 €

MouseReel beschikbaar

Min.: 1
Veelv.: 1

: 1.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 8,86 €
14In voorraad
1.800Verwacht 01/29/2027

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT040TO65G3

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Meer informatie

Gegevensblad

14In voorraad

1.800Verwacht 01/29/2027

Gesneden tape

8,86 €

6,09 €

4,88 €

4,64 €

4,30 €

Spoel

4,30 €

Min.: 1
Veelv.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 12,93 €
5In voorraad
600Verwacht 04/16/2027

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT055W65G3-4AG

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Meer informatie

Gegevensblad

5In voorraad

600Verwacht 04/16/2027

12,93 €

9,85 €

8,82 €

7,15 €

Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1.000: 7,50 €
Niet in voorraad levertijd 25 weken
Nieuw product

Fabrikant- onderdeelnr.
SCT018H65G3-7

Mouser-onderdeelnr.
511-SCT018H65G3-7

Nieuw product

STMicroelectronics

SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Meer informatie

Gegevensblad

Niet in voorraad levertijd 25 weken

Spoel

7,50 €

Min.: 1.000
Veelv.: 1.000

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Afdeling Klantenservice

Bedrijf

Ondersteuningsmateriaal

Ondersteuning