CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

Výsledky: 8
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (EUR) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Obchodní označení
Infineon Technologies GaN tranzistory řízené polem (FET) CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
Technické informace
9.006Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN tranzistory řízené polem (FET) CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Technické informace
2.844Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN tranzistory řízené polem (FET) CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
Technické informace
2.983Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN tranzistory řízené polem (FET) MV GAN DISCRETES
Technické informace
3.428Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN tranzistory řízené polem (FET) MV GAN DISCRETES
Technické informace
6.883Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN tranzistory řízené polem (FET) CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
Technické informace
3.150Na skladě
10.000Očekávané 07/23/2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN tranzistory řízené polem (FET) MV GAN DISCRETES
Technické informace
1.860Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5.000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN tranzistory řízené polem (FET) CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Technické informace
1.272Na skladě
5.000Očekávané 12/24/2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 5.000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN