Starptautiskie tirdzniecības noteikumi: Preču un pakalpojumu nodoklis ir pieejams pircējiem ES dalībvalstīs. Visas cenas ietver nodevas un muitas maksas par atsevišķiem piegādes veidiem.
Starptautiskie tirdzniecības noteikumi: DDU attiecas uz lielāko daļu klientu ārpus ES. Muitas nodevas, maksājumi un nodokļi tiek iekasēti piegādes brīdī.
Lūdzu, apstipriniet savu valūtas izvēli:
Eiro Eiro tiek pieņemti maksājumiem tikai ES dalībvalstīsšīs valstis.
Šobrīd saiti nevar izveidot. Lūdzu, mēģiniet vēlreiz.
STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers
STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.