Zdá se, že ve svém prohlížeči máte vypnutý JavaScript. Některé funkce na této stránce nebudou fungovat, dokud se nepřihlásíte.

Vidíte nějakou chybu?

BSM300D12P2E001

Name: ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300D12P2E001
Price: 635.43 EUR
Availability: InStock

Obrázky jsou pouze pro referenční účely
Viz specifikace produktu

Č. Mouser:

755-BSM300D12P2E001

Výr. Č.:

BSM300D12P2E001

Výrobce:

ROHM Semiconductor

Popis:

Moduly MOSFET 300A SiC Power Module

Technické informace:

BSM300D12P2E001 Technické informace (PDF)

Model ECAD:

Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.

Více informací

Další informace o ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Vlastnost produktu	Hodnota vlastnosti	Zvolit atribut
Výrobce:	ROHM Semiconductor
Kategorie produktu:	Moduly MOSFET
RoHS::
Technologie:	SiC
Styl montáže:	Screw Mount
Obal / Pouzdro:	Module
Polarita tranzistoru:	N-Channel
Počet kanálů :	2 Channel
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem:	1.2 kV
Id – trvalý proud kolektoru:	300 A
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem:	- 6 V, + 22 V
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem:	2.7 V
Minimální provozní teplota:	- 40 C
Maximální provozní teplota:	+ 150 C
Pd – chlazený výkon:	1.875 kW
Série:	BSMx
Balení:	Bulk
Značka :	ROHM Semiconductor
Konfigurace:	Dual
Doba poklesu:	65 ns
Výška:	15.4 mm
Délka:	152 mm
Typ produktu:	MOSFET Modules
Doba nárůstu :	70 ns
Množství v balení od výrobce:	4
Podkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power Module
Typický čas prodlení vypnutí :	250 ns
Typická prodleva sepnutí:	80 ns
Vr – závěrné napětí:	1.2 kV
Šířka :	62 mm
Jednotková váha:	444,780 g

Nalezené produkty:

Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole

Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.

Vybrané atributy: 0

Filtr dokumentů:

Technické informace

BSM300D12P2E001 Technické informace (PDF)

Models

ThermalLink

Other

PCN

Product Change Notification (PDF)

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

Kódy shody s předpisy

TARIC:: 8541590000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541590080
JPHTS:: 854159000
MXHTS:: 8541500100
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Klasifikace původu

Země původu:: Japonsko
Země původu (montáže):: Nelze objednat
Země difúze (země výroby polovodičů):: Nelze objednat

Země může podléhat změně při odeslání zásilky.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.