CGHV96100F2

MACOM
941-CGHV96100F2
CGHV96100F2

Výrobce:

Popis:
GaN tranzistory řízené polem (FET) GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Technické informace:
Model ECAD:
Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.
Více informací
Další informace o MACOM CGHV96100F2
Společnost Mouser v současnosti tento výrobek ve vaší oblasti nenabízí.

Vlastnost produktu Hodnota vlastnosti Zvolit atribut
MACOM
Kategorie produktu: GaN tranzistory řízené polem (FET)
Omezení dodávky:
 Společnost Mouser v současnosti tento výrobek ve vaší oblasti nenabízí.
RoHS::  
Screw Mount
440210
N-Channel
100 V
12 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
9.6 GHz
7.9 GHz
GaN
Značka : MACOM
Konfigurace: Single
Vývojová sada: CGHV96100F2-TB
Zesílení: 12.4 dB
Výstupní výkon: 131 W
Balení: Tray
Výrobek: GaN HEMTs
Typ produktu: GaN FETs
Množství v balení od výrobce: 10
Podkategorie: Transistors
Typ tranzistoru: GaN HEMT
Vgs – Průrazné napětí mezi bází a emitorem: - 10 V to 2 V
Jednotková váha: 65,235 g
Nalezené produkty:
Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole
Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.
Vybrané atributy: 0

Technické informace

PCN

Tato funkce vyžaduje povolení JavaScriptu.

Kódy shody s předpisy
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
3A001.b.3.b.2
Klasifikace původu
Země původu:
Spojené státy
Země původu (montáže):
Nelze objednat
Země difúze (země výroby polovodičů):
Nelze objednat
Země může podléhat změně při odeslání zásilky.

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

CGHV96100F2 GaN HEMT

MACOM CGHV96100F2 Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on silicon carbide (SiC) substrate is an internally matched (IM) FET that offers excellent power-added efficiency compared to other technologies. GaN provides superior properties to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, saturated electron drift velocity, and thermal conductivity. These CGHV96100F2 GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths than GaAs transistors. This MACOM IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Dostupnost

Na skladě:

Došlo k neočekávané chybě.


Máte nějaké otázky? Navštivte Centrum nápovědy.
Pro otázky týkající se konkrétní objednávky se prosím přihlaste ke svému účtu.

Pokud narazíte na další problémy, kontaktujte nás prosím na čísle 800-346-6873 nebo zašlete e-mail na help@mouser.com.