LMG342xR030 GaN Field Effect Transistors (FETs)

Texas Instruments LMG342xR030 GaN Field Effect Transistors (FETs) come with an integrated driver and protection that enables designers to achieve new power density and efficiency levels in power electronics systems.

Výsledky: 7
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (EUR) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Výrobek
Typ
Styl montáže
Obal / Pouzdro
Počet ovladačů
Počet výstupů
Výstupní proud
Napájecí napětí - Min
Napájecí napětí - Max
Konfigurace
Doba nárůstu
Doba poklesu
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Série
Balení
Texas Instruments Hradlové budiče 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZR
Technické informace
606Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 250

Driver ICs - Various Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 50 mA, 1 A 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3422R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Hradlové budiče 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
Technické informace
211Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 250

GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Non-Inverting - 40 C + 125 C LMG3426R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Hradlové budiče 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZR
Technické informace
371Na skladě
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 250

Driver ICs - Various High-Side, Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 2.5 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3425R030 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Hradlové budiče 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 16 týdny/týdnů
Minimum: 2.000
Vícenásobek: 2.000
: 2.000

Isolated Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 3 Output 1.2 A 7.5 V 18 V Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 150 C LMG3422R030 Reel
Texas Instruments Hradlové budiče 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZT
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 16 týdny/týdnů
Minimum: 2.000
Vícenásobek: 2.000
: 2.000

Driver ICs - Various High-Side, Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Inverting, Non-Inverting 2.5 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3425R030 Reel
Texas Instruments Hradlové budiče 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 16 týdny/týdnů
Minimum: 2.000
Vícenásobek: 2.000
: 2.000
Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 50 mA, 1 A 7.5 V 18 V Non-Inverting 4 ns 21 ns - 40 C + 125 C LMG3427R030 Reel
Texas Instruments Hradlové budiče 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 16 týdny/týdnů
Minimum: 2.000
Vícenásobek: 2.000
: 2.000
Ne
GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers Low-Side SMD/SMT VQFN-54 1 Driver 1 Output 7.5 V 18 V Non-Inverting - 40 C + 125 C LMG3426R030 Reel