1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Výsledky: 20
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (EUR) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Technologie
Obal / Pouzdro
Styl montáže
Konfigurace
Kolektor- napětí emitoru VCEO Max
Saturační napětí kolektor-emitor
Maximální napětí emitoru brány
Spojitý sběrač proudu při 25 C
Pd – chlazený výkon
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Série
Balení
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Technické informace
434Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Technické informace
2.258Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Technické informace
4.906Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Technické informace
502Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120F2 Tube


STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Technické informace
594Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 357 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
Technické informace
416Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Technické informace
23Na skladě
1.200Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Technické informace
579Na skladě
1.800Očekávané 09/14/2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120DF2 Tube


STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Technické informace
600Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGWA15H120DF2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Technické informace
801Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Technické informace
294Na skladě
600Očekávané 08/27/2026 .
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Technické informace
10.000Na objednávce
K dispozici na MouseReel
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Technické informace
3.115Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120DF2 Tube

STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Technické informace
984Na objednávce
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Technické informace
493Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Technické informace
Doba dodání 20 týdny/týdnů
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 22 týdny/týdnů
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 22 týdny/týdnů
Minimum: 600
Vícenásobek: 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 15 týdny/týdnů
Minimum: 2.000
Vícenásobek: 1.000
: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGB5H60DF Reel
STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 22 týdny/týdnů
Minimum: 600
Vícenásobek: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube