Všechny výsledky (17.489)

Třídit objednávky:
Kategorie seřazené podle počtu výsledků.
Třídit objednávky:
Kategorie seřazené podle počtu výsledků.
Zvolit Obrázek Č. dílu Výr. Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (EUR) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství. Množství RoHS
STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp 1.378Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm 1.104Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Tranzistory MOSFET in D2PAK package 1.854Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 805Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a 541Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5 1.283Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2.500

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A 3.402Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 3.878Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 2.500

STMicroelectronics Nástroje pro vývoj osvětlení LED 3 A HB LED driver Dimming Function 52Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR 798Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) N Ch 600V 19A 2.686Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT 2.972Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) IGBT 3.203Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 535Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) 600V 65A N-Channel 965Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STMicroelectronics Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in 505Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 925Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET 1.245Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package 1.659Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 1.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII 4.684Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET 2.099Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected 5.134Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV 1.763Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3.000

STMicroelectronics Tranzistory MOSFET Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII 3.309Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3.000

STMicroelectronics Dozorčí obvody 1.6V Active Lo Open Drain Voltage Detect 6.342Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1
: 3.000